AI半導体ETF、国内外で記録的成長と市場主導を実現
国内の半導体ETF市場は、AIおよび高帯域幅メモリ（HBM）需要の高まりを背景に、歴史的な成長を遂げています。NHアムンディ資産運用の「HANARO Fn K-半導体ETF」は、サムスン電子やSKハイニックスなど20社に分散投資し、純資産総額は3兆ウォンを突破しました。サムスン電機を含む主力銘柄の好調により、年初来178.19%、直近6か月197.63%、1年504.19%という業界トップレベルのリターンを記録しています。AIインフラ拡大やメモリ供給不足が韓国半導体企業の業績改善を後押ししています。
一方、韓国投資信託運用の「ACE AI半導体TOP3+ ETF」もHBM代表銘柄に集中投資し、今年に入って純資産が703％増加、1兆ウォンを上回りました。SKハイニックス、サムスン電子、ハンミ半導体に資産の75%を集中投資し、6か月・1年のリターンはそれぞれ206.11%、471.10%となり、同業平均を大きく上回っています。証券業界では、主導株に集中するETFが長期パフォーマンスとリスク管理の面で有利と評価され、アクティブ戦略との組み合わせが収益性向上につながると分析します。
海外では米国ラウンドヒルの「メモリETF（DRAM）」がAI投資ブームを受け、わずか6週間で約1.3兆円（90億ドル）の資金を集め、ARKイノベーションETFの資産規模を超えました。サムスン電子、SKハイニックス、マイクロンなどメモリ大手に投資し、関連銘柄の株価急騰を牽引しています。さらに、AI産業が推論（ASIC）へと軸足を移す中、特定分野に特化した半導体ETFの成長にも注目が集まっています。
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